평택화성 이천청주 메모리기지 마더펩으로 활용
평택화성 EUV 기반 7나노 이하 첨단파운드리 확대
부천음성 차세대전력반도체 및 청주 8인치 파운드리 투자

[전기신문 윤병효 기자] 2030년까지 판교부터 청주로 이어지는 반도체밸트에 총 510조원을 투자해 세계 최고 반도체 경쟁력을 확보하는 전략이 나왔다.

정부는 13일 삼성전자 평택캠퍼스에서 종합 반도체 강국 실현을 위한 K-반도체 전략을 발표했다.

김기남 삼성전자 부회장은 평택 파운드리, 박정호 SK하이닉스 부회장은 용인 소부장 특화단지, 정칠희 네패스 회장은 첨단 패키징 플랫폼, 박성현 리벨리온 대표는 판교 팹리스 밸리 등을 발표했다.

이어진 반도체 생태계 강화 연대·협력 협약식에서는 차량용 반도체 수요-공급기업, 반도체 고급인력 양성 민·관 투자, 첨단장비 클러스터 투자 등 반도체 생태계 강화를 위한 업무협약이 체결됐다.

우선 메모리 반도체의 초격차 유지를 위해 국내 생산기지를 최첨단 기술이 최초 적용되는 펩(Fab)으로 고도화하고, 생산능력 확대도 지속 추진한다.

이를 위해 평택·화성, 이천·청주의 메모리 생산기지를 최첨단 기술이 최초 적용·양산되는 기술 선도형 마더 펩(Mother Fab)으로 활용한다. 용인 클러스터에 4개의 펩을 구축해 반도체 국내생산 능력을 확대하고 차세대 메모리 생산기지로 마련한다.

첨단 파운드리 분야의 미세화 경쟁 및 시설투자 확대와 함께 최근 수요가 급증하는 8인치 파운드리 증설도 추진한다. 이를 위해 평택·화성에 극자외선(EUV) 기반 7나노 이하의 첨단 파운드리 생산능력을 확대하고 올해 중으로 5나노 양산을 추진한다.

용인에는 반도체 소재, 부품, 장비(소부장) 특화단지가 조성된다. 용인은 반도체 기업이 다수 입지한 경기 남부와 충청을 연결하는 지리적 요충지이다. 용인 반도체 펩 인근에 국내외 50여개 소부장 기업이 입주할 예정이다. 이를 통해 리드타임이 단축되고 소재, 부품, 장비의 공급안정성이 높아질 것으로 기대된다.

판교 부근에는 한국형 팹리스 밸리가 조성된다. 이를 위해 시스템반도체 설계지원센터, AI반도체 혁신설계센터, 차세대 반도체 복합단지가 조성된다.

정부는 성공적인 반도체 밸트 구축을 위해 파격적인 지원을 아낌없이 제공할 계획이다.

이를 위해 핵심 전략기술의 R&D 및 시설투자 세액공제를 대폭 확대하고 초기 양산시설까지 핵심전략기술 투자에 포함해 지원한다.

금융지원 차원에서 국내 반도체 제조기업(파운드리), 중소·중견 소부장 기업 등이 적극적으로 시설투자에 참여할 수 있도록 금융지원을 확대한다.

또한 반도체 설비의 신속한 구축을 위해 고압가스안전관리법, 온실가스 배출권 규정, 화학물질관리법 등 규제 합리화도 지원한다.

기반 구축 차원에서 반도체 제조시설의 적기 건설과 원활한 운영을 위해 용수 등 기반시설 지원을 강화하고 정부와 한전이 50%를 지원하는 전력 인프라도 구축할 계획이다.

문승욱 산업부 장관은 “최근 반도체 공급난이 심화되고, 반도체를 둘러싼 국제 정세가 급변하는 엄중한 시기에 대응하기 위해 민·관이 힘을 합쳐 K-반도체 전략을 만들었다” 면서 “510조원 이상의 대규모 민간투자에 화답해 정부도 투자세액공제 5배 이상 상향, 1조원 규모의 반도체 등 설비투자 특별자금 등 전방위 지원을 아끼지 않겠다”고 말했다.

이어 “우리나라가 글로벌 반도체 수요에 대응하는 안정적인 반도체 공급 기지가 된다면 국제 사회와 세계 경제 발전에 기여하고 글로벌 반도체 공급망을 주도할 수 있다”면서 “K-반도체 전략을 차질없이 추진한다면 수출은 2020년 992억불에서 2030년 2000억불로 증가하고, 고용인원은 총 27만명으로 늘어날 것으로 기대된다”고 전했다.